Name: IMZA65R020M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R020M2HXKSA1-ND
Price: 501.76 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 650 V 83A (Tc) 273W (Tc) ทรูโฮล PG-TO247-4-8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IMZA65R020M2HXKSA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IMZA65R020M2HXKSA1-ND
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IMZA65R020M2HXKSA1
คำอธิบาย	SILICON CARBIDE MOSFET
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 83A (Tc) 273W (Tc) ทรูโฮล PG-TO247-4-8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 5.6V @ 9.5mA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 57 nC @ 18 V
ชุด CoolSiC™ Gen 2	Vgs (สูงสุด) +23V, -7V
บรรจุภัณฑ์ ท่อ	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2038 pF @ 400 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 273W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)	ประเภทการติดตั้ง ทรูโฮล
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 650 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO247-4-8
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 83A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-247-4
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 15V, 20V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IMZA65R020
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 18mOhm @ 46.9A, 20V