Name: IPB029N06NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB029N06NF2SATMA1TR-ND
Price: 84.06 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 26A (Ta), 120A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPB029N06NF2SATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPB029N06NF2SATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IPB029N06NF2SATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IPB029N06NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPB029N06NF2SATMA1
คำอธิบาย	TRENCH 40<-<100V
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	25 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 26A (Ta), 120A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPB029N06NF2SATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	StrongIRFET™2
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	26A (Ta), 120A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	6V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	2.9mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.3V @ 80µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	4600 pF @ 30 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3.8W (Ta), 150W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO263-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPB029