Name: IPB120N10S403ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB120N10S403ATMA1TR-ND
Price: 166.82 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPB120N10S403ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPB120N10S403ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IPB120N10S403ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IPB120N10S403ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPB120N10S403ATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	18 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPB120N10S403ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 140 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (สูงสุด) ±20V
ชุด OptiMOS™	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 10120 pF @ 25 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 250W (Tc)
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	เกรด รถยนต์
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	คุณสมบัติ AEC-Q101
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 120A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO263-3
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 100A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPB120
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.5V @ 180µA