Name: IPB180P04P403ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB180P04P403ATMA2TR-ND
Price: 140.96 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-7-3

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPB180P04P403ATMA2
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPB180P04P403ATMA2TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IPB180P04P403ATMA2CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IPB180P04P403ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPB180P04P403ATMA2
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	18 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-7-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPB180P04P403ATMA2 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 250 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (สูงสุด) ±20V
ชุด OptiMOS™ P2	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 17640 pF @ 25 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 150W (Tc)
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	เกรด รถยนต์
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	คุณสมบัติ AEC-Q101
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 40 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 180A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO263-7-3
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 100A, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-7, D2PAK (6 ตัวนำ + แท็บ)
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 410µA	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPB180