Name: IPB60R040CFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB60R040CFD7ATMA1TR-ND
Price: 293.23 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 600 V 50A (Tc) 227W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3-2

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPB60R040CFD7ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPB60R040CFD7ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IPB60R040CFD7ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IPB60R040CFD7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPB60R040CFD7ATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	17 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 600 V 50A (Tc) 227W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3-2
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPB60R040CFD7ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.5V @ 1.25mA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 108 nC @ 10 V
ชุด CoolMOS™ CFD7	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4351 pF @ 400 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 227W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 600 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO263-3-2
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 50A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPB60R040
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 40mOhm @ 24.9A, 10V