การตั้งค่า
จัดส่งที่รวดเร็ว
จัดส่งฟรี
Incoterms
ประเภทการชำระเงิน
ผลิตภัณฑ์ตลาดออนไลน์
IPB65R110CFDATMA1 ตกรุ่นและไม่มีการผลิตอีกต่อไป
ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:
เทียบเท่าพาราเมตริก
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
IPB65R110CFDATMA1 | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | IPB65R110CFDATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) IPB65R110CFDATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) IPB65R110CFDATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | IPB65R110CFDATMA1 |
คำอธิบาย | MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | N-ช่องสัญญาณ 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3 |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท | คำอธิบาย | เลือกทั้งหมด |
|---|---|---|
หมวดหมู่ | ||
Mfr | ||
ชุด | ||
บรรจุภัณฑ์ | เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel® | |
สถานะผลิตภัณฑ์ | เลิกผลิต | |
ประเภท FET | ||
เทคโนโลยี | ||
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) | 650 V | |
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | ||
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) | 10V | |
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V | |
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 1.3mA | |
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 118 nC @ 10 V | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 3240 pF @ 100 V | |
คุณสมบัติของ FET | - | |
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) | 277.8W (Tc) | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
เกรด | - | |
คุณสมบัติ | - | |
ประเภทการติดตั้ง | ติดบนพื้นผิว | |
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ | PG-TO263-3 | |
บรรจุภัณฑ์ / เคส | ||
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน |
เลิกผลิตแล้ว
ไทย