Name: IPB65R190CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R190CFD7AATMA1TR-ND
Price: 160.68 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 650 V 14A (Tc) 77W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPB65R190CFD7AATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPB65R190CFD7AATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IPB65R190CFD7AATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IPB65R190CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPB65R190CFD7AATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	17 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 14A (Tc) 77W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPB65R190CFD7AATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (สูงสุด) ±20V
ชุด CoolMOS™	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1291 pF @ 400 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 77W (Tc)
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	เกรด รถยนต์
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	คุณสมบัติ AEC-Q101
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 650 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 14A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO263-3
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 190mOhm @ 6.4A, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.5V @ 320µA	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPB65R190