IPB80N08S2L07ATMA1 ตกรุ่นและไม่มีการผลิตอีกต่อไป
ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

MFR ที่แนะนำ


Infineon Technologies
มีอยู่ในสต็อค: 2,106
ราคาต่อหน่วย : ฿59.48000
เอกสารข้อมูล

Similar


Infineon Technologies
มีอยู่ในสต็อค: 403
ราคาต่อหน่วย : ฿125.78000
เอกสารข้อมูล

Similar


Infineon Technologies
มีอยู่ในสต็อค: 627
ราคาต่อหน่วย : ฿104.98000
เอกสารข้อมูล

Similar


Infineon Technologies
มีอยู่ในสต็อค: 5,700
ราคาต่อหน่วย : ฿46.15000
เอกสารข้อมูล

Direct


STMicroelectronics
มีอยู่ในสต็อค: 1,337
ราคาต่อหน่วย : ฿113.10000
เอกสารข้อมูล

Similar


Nexperia USA Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 1,385
ราคาต่อหน่วย : ฿122.53000
เอกสารข้อมูล

Similar


Nexperia USA Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 3,130
ราคาต่อหน่วย : ฿180.70000
เอกสารข้อมูล

Similar


Nexperia USA Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿55.67250
เอกสารข้อมูล

Similar


onsemi
มีอยู่ในสต็อค: 1,191
ราคาต่อหน่วย : ฿125.45000
เอกสารข้อมูล

Similar


onsemi
มีอยู่ในสต็อค: 2,617
ราคาต่อหน่วย : ฿83.53000
เอกสารข้อมูล

Similar


onsemi
มีอยู่ในสต็อค: 4,019
ราคาต่อหน่วย : ฿121.55000
เอกสารข้อมูล

Similar


IXYS
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿69.37233
เอกสารข้อมูล

Similar


Nexperia USA Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 3,635
ราคาต่อหน่วย : ฿126.75000
เอกสารข้อมูล

Similar


STMicroelectronics
มีอยู่ในสต็อค: 1,521
ราคาต่อหน่วย : ฿73.13000
เอกสารข้อมูล
PG-TO263-3-2
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPB80N08S2L07ATMA1

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
IPB80N08S2L07ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR)
IPB80N08S2L07ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT)
IPB80N08S2L07ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
IPB80N08S2L07ATMA1
คำอธิบาย
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-ช่องสัญญาณ 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3-2
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD
IPB80N08S2L07ATMA1 รุ่น
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
Mfr
ชุด
บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
เทปตัดขาย (CT)
Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์
เลิกผลิต
ประเภท FET
เทคโนโลยี
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
75 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
2V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
233 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
5400 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
300W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด
รถยนต์
คุณสมบัติ
AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
PG-TO263-3-2
บรรจุภัณฑ์ / เคส
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

เลิกผลิตแล้ว
สินค้านี้ไม่มีการผลิตแล้ว ดู สินค้าที่ใช้แทนกันได้