การตั้งค่า
จัดส่งที่รวดเร็ว
จัดส่งฟรี
Incoterms
ประเภทการชำระเงิน
ผลิตภัณฑ์ตลาดออนไลน์
IPD30N06S2L23ATMA1 หมดสต๊อกและไม่สามารถสั่งจองได้ในขณะนี้
ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:
Direct
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
IPD30N06S2L23ATMA1 | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | IPD30N06S2L23ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | IPD30N06S2L23ATMA1 |
คำอธิบาย | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | N-ช่องสัญญาณ 55 V 30A (Tc) 100W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3-11 |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท | คำอธิบาย | เลือกทั้งหมด |
|---|---|---|
หมวดหมู่ | ||
Mfr | ||
ชุด | ||
บรรจุภัณฑ์ | เทปและม้วน (TR) | |
สถานะผลิตภัณฑ์ | ดำเนินการต่อที่ DigiKey | |
ประเภท FET | ||
เทคโนโลยี | ||
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) | 55 V | |
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | ||
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) | 4.5V, 10V | |
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 22A, 10V | |
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 50µA | |
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 1091 pF @ 25 V | |
คุณสมบัติของ FET | - | |
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) | 100W (Tc) | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
เกรด | รถยนต์ | |
คุณสมบัติ | AEC-Q101 | |
ประเภทการติดตั้ง | ติดบนพื้นผิว | |
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ | PG-TO252-3-11 | |
บรรจุภัณฑ์ / เคส | ||
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน |
0 ในสต็อก
สต็อก Marketplace: 2,010 ดูตอนนี้
Other Suppliers on DigiKey
2,010มีอยู่ในสต็อค
จัดส่งจาก Rochester Electronics, LLC
