Name: IPD35N12S3L24ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD35N12S3L24ATMA1TR-ND
Price: 78.89 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 120 V 35A (Tc) 71W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPD35N12S3L24ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IPD35N12S3L24ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) IPD35N12S3L24ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPD35N12S3L24ATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 120 V 35A (Tc) 71W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (สูงสุด) ±20V
ชุด OptiMOS™	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2700 pF @ 25 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 71W (Tc)
สถานะผลิตภัณฑ์ ไม่สามารถใช้ได้สำหรับการออกแบบใหม่	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	เกรด รถยนต์
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	คุณสมบัติ AEC-Q101
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 120 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 35A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO252-3
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 24mOhm @ 35A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPD35N12
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.4V @ 39µA