IPD50R500CEBTMA1 Infineon Technologies | FET เดี่ยว, MOSFET

IPD50R500CEBTMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IPD50R500CEBTMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPD50R500CEBTMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 500 V 7.6A (Tc) 57W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3-11
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	CoolMOS™ CE
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ DigiKey
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	500 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	7.6A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	13V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 200µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	18.7 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	433 pF @ 100 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	57W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO252-3-11
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPD50R