Name: IPD70R900P7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD70R900P7SAUMA1TR-ND
Price: 30.88 THB
Availability: InStock

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPD70R900P7SAUMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IPD70R900P7SAUMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) IPD70R900P7SAUMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) IPD70R900P7SAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPD70R900P7SAUMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	23 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 700 V 6A (Tc) 30.5W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPD70R900P7SAUMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	CoolMOS™ P7
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	700 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	6A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 60µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±16V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	211 pF @ 400 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	30.5W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO252-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPD70