Name: IPD95R750P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD95R750P7ATMA1TR-ND
Price: 80.83 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 950 V 9A (Tc) 73W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPD95R750P7ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IPD95R750P7ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) IPD95R750P7ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) IPD95R750P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPD95R750P7ATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	48 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 950 V 9A (Tc) 73W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPD95R750P7ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.5V @ 220µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 23 nC @ 10 V
ชุด CoolMOS™ P7	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 712 pF @ 400 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 73W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 950 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO252-3
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 9A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPD95R750
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 750mOhm @ 4.5A, 10V