Name: IPDQ65R099CFD7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R099CFD7XTMA1TR-ND
Price: 137.4 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 650 V 29A (Tc) 186W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HDSOP-22-1

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPDQ65R099CFD7XTMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPDQ65R099CFD7XTMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IPDQ65R099CFD7XTMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IPDQ65R099CFD7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPDQ65R099CFD7XTMA1
คำอธิบาย	HIGH POWER_NEW
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	29 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 29A (Tc) 186W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HDSOP-22-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPDQ65R099CFD7XTMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.5V @ 480µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 39 nC @ 10 V
ชุด CoolMOS™	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1942 pF @ 400 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 186W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 650 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-HDSOP-22-1
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 29A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส โมดูล 22-PowerBSOP
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPDQ65
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 99mOhm @ 9.7A, 10V