Name: IPG20N04S412ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N04S412ATMA1TR-ND
Price: 59.81 THB
Availability: OutOfStock

mosfet อาร์เรย์ 40V 20A 41W ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-4

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPG20N04S412ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPG20N04S412ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IPG20N04S412ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IPG20N04S412ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPG20N04S412ATMA1
คำอธิบาย	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 40V 20A 41W ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-4
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPG20N04S412ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ไม่สามารถใช้ได้สำหรับการออกแบบใหม่
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
การตั้งค่า	2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)
คุณสมบัติของ FET	-
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	40V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	20A
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	12.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 15µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	18nC @ 10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1470pF @ 25V
พลังงาน - สูงสุด	41W
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerVDFN
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TDSON-8-4
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPG20N