Name: IPG20N06S2L35ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND
Price: 71.77 THB
Availability: InStock

mosfet อาร์เรย์ 55V 20A 65W ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-4

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPG20N06S2L35ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) IPG20N06S2L35ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) IPG20N06S2L35ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPG20N06S2L35ATMA1
คำอธิบาย	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	35 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 55V 20A 65W ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-4
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPG20N06S2L35ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2V @ 27µA
ผู้ผลิต Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 23nC @ 10V
ชุด OptiMOS™	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 790pF @ 25V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	พลังงาน - สูงสุด 65W
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	เกรด รถยนต์
การตั้งค่า 2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)	คุณสมบัติ AEC-Q101
คุณสมบัติของ FET เกทระดับลอจิก	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 55V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerVDFN
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 20A	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TDSON-8-4
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 35mOhm @ 15A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPG20N