Name: IPL65R099C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND
Price: 246.03 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 650 V 21A (Tc) 128W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-VSON-4

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPL65R099C7AUMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IPL65R099C7AUMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IPL65R099C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPL65R099C7AUMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	48 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 21A (Tc) 128W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-VSON-4
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPL65R099C7AUMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 590µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 45 nC @ 10 V
ชุด CoolMOS™ C7	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2140 pF @ 400 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 128W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -40°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 650 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-VSON-4
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 21A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 4-PowerTSFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPL65R099
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 99mOhm @ 5.9A, 10V