Name: IPN70R360P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN70R360P7SATMA1TR-ND
Price: 48.17 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 700 V 12.5A (Tc) 7.2W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-SOT223

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPN70R360P7SATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IPN70R360P7SATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) IPN70R360P7SATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) IPN70R360P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPN70R360P7SATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	20 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 700 V 12.5A (Tc) 7.2W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-SOT223
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPN70R360P7SATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	CoolMOS™ P7
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	700 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	12.5A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	360mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 150µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	16.4 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±16V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	517 pF @ 400 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	7.2W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-SOT223
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-261-4, TO-261AA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPN70R360