IPN80R900P7ATMA1 Infineon Technologies | FET เดี่ยว, MOSFET

IPN80R900P7ATMA1 ตกรุ่นและไม่มีการผลิตอีกต่อไป

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

MFR ที่แนะนำ

IPD80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

มีอยู่ในสต็อค: 363

ราคาต่อหน่วย : ฿60.78000

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

N-ช่องสัญญาณ 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-SOT223

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPN80R900P7ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IPN80R900P7ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) IPN80R900P7ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) IPN80R900P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPN80R900P7ATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-SOT223
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPN80R900P7ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.5V @ 110µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 15 nC @ 10 V
ชุด CoolMOS™ P7	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 350 pF @ 500 V
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 7W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 800 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-SOT223
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 6A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-261-4, TO-261AA
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPN80R900
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2.2A, 10V