IPP091N06N G Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ Digi-Key
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	9.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 130µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	81 nC @ 10 V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2800 pF @ 30 V
คุณสมบัติของ FET	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO220-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPP091N