IPP120P04P4L03AKSA2 Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IPP120P04P4L03AKSA2
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPP120P04P4L03AKSA2-ND
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPP120P04P4L03AKSA2
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) ทรูโฮล PG-TO220-3-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPP120P04P4L03AKSA2 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™ P2
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	40 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	120A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.2V @ 340µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	234 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	+5V, -16V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	15000 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	136W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q100
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO220-3-1
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPP120