
IPP60R299CPXKSA1 | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | 448-IPP60R299CPXKSA1-ND |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | IPP60R299CPXKSA1 |
คำอธิบาย | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | N-ช่องสัญญาณ 650 V 11A (Tc) 96W (Tc) ทรูโฮล PG-TO220-3 |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
โมเดล EDA/CAD | IPP60R299CPXKSA1 รุ่น |
หมวดหมู่ | Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.5V @ 440µA |
Mfr | เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 29 nC @ 10 V |
ชุด | Vgs (สูงสุด) ±20V |
บรรจุภัณฑ์ ท่อ | ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1100 pF @ 100 V |
สถานะผลิตภัณฑ์ การซื้อครั้งสุดท้าย | กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 96W (Tc) |
ประเภท FET | อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ) |
เทคโนโลยี | ประเภทการติดตั้ง ทรูโฮล |
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 650 V | บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO220-3 |
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | บรรจุภัณฑ์ / เคส |
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V | หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน |
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | จำนวนที่มีอยู่ | หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | ราคาต่อหน่วย | ประเภทสินค้าทดแทน |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | 43 | IPP60R280P7XKSA1-ND | ฿84.06000 | MFR ที่แนะนำ |
| STP13N80K5 | STMicroelectronics | 524 | 497-13779-5-ND | ฿139.99000 | Direct |
| FCP11N60 | onsemi | 1,602 | FCP11N60-ND | ฿135.14000 | Similar |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1,718 | IRF830APBF-ND | ฿100.22000 | Similar |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | ฿129.32000 | Similar |
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ต่อราคา |
|---|---|---|
| 1 | ฿103.78000 | ฿103.78 |
| 50 | ฿51.83800 | ฿2,591.90 |
| 100 | ฿46.80090 | ฿4,680.09 |
| 500 | ฿39.98510 | ฿19,992.55 |

