IPP80N06S4L07AKSA1 Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IPP80N06S4L07AKSA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IPP80N06S4L07AKSA1-ND
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPP80N06S4L07AKSA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) ทรูโฮล PG-TO220-3-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ Digi-Key
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	80A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.2V @ 40µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±16V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	5680 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	79W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO220-3-1
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPP80N