Name: IPQC60T010S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPQC60T010S7XTMA1TR-ND
Price: 696.39 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 600 V 174A (Tc) 694W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HDSOP-22-101

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPQC60T010S7XTMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPQC60T010S7XTMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IPQC60T010S7XTMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IPQC60T010S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPQC60T010S7XTMA1
คำอธิบาย	HIGH POWER_NEW
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	28 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 600 V 174A (Tc) 694W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HDSOP-22-101
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPQC60T010S7XTMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	CoolMOS™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	600 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	174A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	12V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	10mOhm @ 50A, 12V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4.5V @ 3.06mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	318 nC @ 12 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	11986 pF @ 300 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	694W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-HDSOP-22-101
บรรจุภัณฑ์ / เคส	โมดูล 22-PowerBSOP