Name: IPT012N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT012N08N5ATMA1TR-ND
Price: 197.51 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-8-1

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPT012N08N5ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IPT012N08N5ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) IPT012N08N5ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) IPT012N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPT012N08N5ATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-8-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPT012N08N5ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	80 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	300A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	6V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.2mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.8V @ 280µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	223 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	17000 pF @ 40 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	375W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-HSOF-8-1
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerSFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPT012