Name: IPT015N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 156.15 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 35A (Ta), 315A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-8-10

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPT015N10NF2SATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IPT015N10NF2SATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IPT015N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPT015N10NF2SATMA1
คำอธิบาย	MOSFET
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	17 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 35A (Ta), 315A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-8-10
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPT015N10NF2SATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 150A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.8V @ 267µA
ชุด StrongIRFET™ 2	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 242 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 11000 pF @ 50 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 35A (Ta), 315A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-HSOF-8-10
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 6V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerSFN