Name: IPT039N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND
Price: 239.89 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPT039N15N5ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IPT039N15N5ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IPT039N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPT039N15N5ATMA1
คำอธิบาย	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	29 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPT039N15N5ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 50A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.6V @ 257µA
ชุด OptiMOS™	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 98 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 7700 pF @ 75 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3.8W (Ta), 319W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 150 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 21A (Ta), 190A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-HSOF-8
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 8V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerSFN