Name: IPT60R028G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R028G7XTMA1TR-ND
Price: 675.05 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 600 V 75A (Tc) 391W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-8-2

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPT60R028G7XTMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IPT60R028G7XTMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) IPT60R028G7XTMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) IPT60R028G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPT60R028G7XTMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 600 V 75A (Tc) 391W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-8-2
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPT60R028G7XTMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 1.44mA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 123 nC @ 10 V
ชุด CoolMOS™ G7	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4820 pF @ 400 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 391W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 600 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-HSOF-8-2
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 75A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerSFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPT60R028
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 28mOhm @ 28.8A, 10V