Name: IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1TR-ND
Price: 162.3 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-WHTFN-9-U02

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IQDH45N04LM6CGSCATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IQDH45N04LM6CGSCATMA1
คำอธิบาย	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-WHTFN-9-U02
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 0.49mOhm @ 50A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.3V @ 1.449mA
ชุด OptiMOS™ 6	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 78 nC @ 4.5 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 12000 pF @ 20 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3W (Ta), 333W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 40 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 58A (Ta), 611A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-WHTFN-9-U02
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 9-PowerWDFN