Name: IQE006NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 101.19 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-WHSON-8-1

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IQE006NE2LM5SCATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IQE006NE2LM5SCATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IQE006NE2LM5SCATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IQE006NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IQE006NE2LM5SCATMA1
คำอธิบาย	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-WHSON-8-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IQE006NE2LM5SCATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 0.58mOhm @ 20A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2V @ 250µA
ชุด OptiMOS™ 5	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 82 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±16V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 5453 pF @ 12 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.1W (Ta), 89W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 25 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 47A (Ta), 310A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-WHSON-8-1
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerWDFN