Name: IQE046N08LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE046N08LM5CGATMA1TR-ND
Price: 118.33 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 80 V 15.6A (Ta), 99A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TTFN-9-3

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IQE046N08LM5CGATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IQE046N08LM5CGATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IQE046N08LM5CGATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IQE046N08LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IQE046N08LM5CGATMA1
คำอธิบาย	TRENCH 40<-<100V
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 15.6A (Ta), 99A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TTFN-9-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IQE046N08LM5CGATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™ 5
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	80 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	15.6A (Ta), 99A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.3V @ 47µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3250 pF @ 40 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta), 100W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TTFN-9-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	9-PowerTDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IQE046