Name: IRF7341TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 44.29 THB
Availability: InStock

mosfet อาร์เรย์ 55V 4.7A (Tc) 2W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-DSO-8-902

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRF7341TRPBFXTMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRF7341TRPBFXTMA1
คำอธิบาย	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	25 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 55V 4.7A (Tc) 2W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-DSO-8-902
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRF7341TRPBFXTMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V
ผู้ผลิต Infineon Technologies	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 1V @ 250µA
ชุด HEXFET®	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 36nC @ 10V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 740pF @ 25V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	พลังงาน - สูงสุด 2W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
การตั้งค่า 2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
คุณสมบัติของ FET เกทระดับลอจิก	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 55V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-DSO-8-902
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 4.7A (Tc)