Name: IRF7416TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7416TRPBFTR-ND
Price: 53.67 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 30 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SO

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRF7416TRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRF7416TRPBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) IRF7416TRPBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRF7416TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRF7416TRPBF
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	25 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 30 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SO
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRF7416TRPBF รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	HEXFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	10A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	20mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	92 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1700 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-SO
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRF7416