Name: IRF7469TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7469PBFTR-ND
Price: 63.04 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 40 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SO

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRF7469TRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRF7469PBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) IRF7469PBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRF7469PBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRF7469TRPBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	35 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 40 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SO
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRF7469TRPBF รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3V @ 250µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V
ชุด HEXFET®	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2000 pF @ 20 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.5W (Ta)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 40 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-SO
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 9A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IRF7469
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 17mOhm @ 9A, 10V