IRF9333PBF หมดสต๊อกและไม่สามารถสั่งจองได้ในขณะนี้
ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

Direct


onsemi
มีอยู่ในสต็อค: 27,233
ราคาต่อหน่วย : ฿53.34000
เอกสารข้อมูล

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 13,790
ราคาต่อหน่วย : ฿40.09000
เอกสารข้อมูล

Similar


Diodes Incorporated
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿7.15916
เอกสารข้อมูล

Similar


Diodes Incorporated
มีอยู่ในสต็อค: 5,293
ราคาต่อหน่วย : ฿37.18000
เอกสารข้อมูล

Similar


onsemi
มีอยู่ในสต็อค: 65,893
ราคาต่อหน่วย : ฿35.24000
เอกสารข้อมูล
P-ช่องสัญญาณ 30 V 9.2A (Ta) 2.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SO
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRF9333PBF

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
IRF9333PBF-ND
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
IRF9333PBF
คำอธิบาย
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
P-ช่องสัญญาณ 30 V 9.2A (Ta) 2.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SO
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
Mfr
ชุด
บรรจุภัณฑ์
ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์
ดำเนินการต่อที่ DigiKey
ประเภท FET
เทคโนโลยี
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
19.4mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
2.4V @ 25µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1110 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
2.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
8-SO
บรรจุภัณฑ์ / เคส
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์

ดูว่าวิศวกรคนอื่นกำลังถามอะไร ถามคำถามของคุณเอง หรือช่วยตอบคำถามให้กับสมาชิกในชุมชนวิศวกรรมของ DigiKey

0 ในสต็อก
เนื่องจากเกิดปัญหาด้านข้อจำกัดทางด้านการจัดส่งชั่วคราว เราจึงไม่สามารถรับคำสั่งซื้อสำหรับสินค้ารอส่งได้ และยังไม่สามารถแจ้งระยะเวลารอคอยสินค้าได้ในขณะนี้ ดู สินค้าที่ใช้แทนกันได้ หรือ ประเภทบรรจุภัณฑ์ทดแทน