Name: IRFH8318TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH8318TRPBFTR-ND
Price: 51.08 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) ติดบนพื้นผิว PQFN (5x6)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRFH8318TRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRFH8318TRPBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) IRFH8318TRPBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRFH8318TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRFH8318TRPBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	27 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) ติดบนพื้นผิว PQFN (5x6)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRFH8318TRPBF รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.35V @ 50µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 41 nC @ 10 V
ชุด HEXFET®	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 3180 pF @ 10 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3.6W (Ta), 59W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PQFN (5x6)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 27A (Ta), 120A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IRFH8318
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 20A, 10V