Name: IRLH5030TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLH5030TRPBFTR-ND
Price: 105.07 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PQFN (5x6)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRLH5030TRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRLH5030TRPBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) IRLH5030TRPBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRLH5030TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRLH5030TRPBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PQFN (5x6)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRLH5030TRPBF รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	HEXFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ไม่สามารถใช้ได้สำหรับการออกแบบใหม่
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	13A (Ta), 100A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 150µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	94 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±16V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	5185 pF @ 50 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3.6W (Ta), 156W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-PQFN (5x6)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerVDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRLH5030