Name: IRLL024NTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLL024NPBFTR-ND
Price: 32.5 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 55 V 3.1A (Ta) 1W (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-223

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRLL024NTRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRLL024NPBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) IRLL024NPBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRLL024NPBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRLL024NTRPBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	14 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 55 V 3.1A (Ta) 1W (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-223
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRLL024NTRPBF รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	HEXFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	55 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	3.1A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	15.6 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)	±16V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	510 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	1W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SOT-223
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-261-4, TO-261AA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRLL024