Name: ISC016N08NM8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC016N08NM8ATMA1TR-ND
Price: 149.69 THB
Availability: OutOfStock

ผลิตภัณฑ์ใหม่

N-ช่องสัญญาณ 80 V 29A (Ta), 268A (Tc) 3W (Ta), 263W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

ISC016N08NM8ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-ISC016N08NM8ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-ISC016N08NM8ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-ISC016N08NM8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	ISC016N08NM8ATMA1
คำอธิบาย	ISC016N08NM8ATMA1
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 29A (Ta), 268A (Tc) 3W (Ta), 263W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 1.54mOhm @ 50A, 15V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.5V @ 111µA
ชุด OptiMOS™ 8	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 99 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 7200 pF @ 40 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3W (Ta), 263W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 80 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 29A (Ta), 268A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TDSON-8
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 8V, 15V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN