Name: ISC034N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC034N08NM7ATMA1TR-ND
Price: 79.86 THB
Availability: OutOfStock

ผลิตภัณฑ์ใหม่

N-ช่องสัญญาณ 80 V 20A (Ta), 122A (Tc) 3W (Ta), 115W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-34

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

ISC034N08NM7ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-ISC034N08NM7ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-ISC034N08NM7ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-ISC034N08NM7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	ISC034N08NM7ATMA1
คำอธิบาย	ISC034N08NM7ATMA1
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	27 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 20A (Ta), 122A (Tc) 3W (Ta), 115W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-34
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™ 7
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	80 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	20A (Ta), 122A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	7V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.2V @ 48µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3100 pF @ 40 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3W (Ta), 115W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TDSON-8-34
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerTDFN