Name: ISC104N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC104N12LM6ATMA1TR-ND
Price: 91.17 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 120 V 11A (Ta), 63A (Tc) 3W (Ta), 94W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

ISC104N12LM6ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-ISC104N12LM6ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-ISC104N12LM6ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-ISC104N12LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	ISC104N12LM6ATMA1
คำอธิบาย	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 120 V 11A (Ta), 63A (Tc) 3W (Ta), 94W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™ 6
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	120 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	11A (Ta), 63A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	3.3V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	10.4mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.2V @ 35µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1800 pF @ 60 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3W (Ta), 94W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TDSON-8
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerTDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	ISC104