Name: SPD30P06PGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD30P06PGBTMA1TR-ND
Price: 62.4 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 60 V 30A (Tc) 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SPD30P06PGBTMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SPD30P06PGBTMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) SPD30P06PGBTMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SPD30P06PGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SPD30P06PGBTMA1
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 60 V 30A (Tc) 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SPD30P06PGBTMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	SIPMOS®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	การซื้อครั้งสุดท้าย
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	30A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	75mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 1.7mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1535 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	125W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 155°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO252-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SPD30P06