SPW17N80C3A Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

SPW17N80C3A
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SPW17N80C3A-ND
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SPW17N80C3A
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) ทรูโฮล PG-TO247-3-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	CoolMOS™
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ Digi-Key
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	800 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	17A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	290mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.9V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	177 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2320 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	227W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO247-3-1
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SPW17N