Name: SPW35N60C3FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPW35N60C3FKSA1-ND
Price: 338.82 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 650 V 34.6A (Tc) 313W (Tc) ทรูโฮล PG-TO247-3-1

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SPW35N60C3FKSA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SPW35N60C3FKSA1-ND
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SPW35N60C3FKSA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 34.6A (Tc) 313W (Tc) ทรูโฮล PG-TO247-3-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SPW35N60C3FKSA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.9V @ 1.9mA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 200 nC @ 10 V
ชุด CoolMOS™	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ ท่อ	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4500 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ไม่สามารถใช้ได้สำหรับการออกแบบใหม่	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 313W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ทรูโฮล
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 650 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO247-3-1
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 34.6A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-247-3
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน SPW35N60
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 100mOhm @ 21.9A, 10V

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (15)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
SIHG44N65EF-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHG44N65EF-GE3-ND	฿196.16550	Direct
FCH077N65F-F085	onsemi	1,646	FCH077N65F-F085-ND	฿382.79000	Similar
FCH077N65F-F155	onsemi	201	FCH077N65F-F155-ND	฿356.60000	Similar
IXFH36N60P	IXYS	560	IXFH36N60P-ND	฿515.02000	Similar
IXFX48N60Q3	IXYS	38	IXFX48N60Q3-ND	฿1,102.13000	Similar