Name: IRF6775MTRPBF
Brand: International Rectifier
SKU: 2156-IRF6775MTRPBF-ND
Price: 37.82611 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) ติดบนพื้นผิว DIRECTFET™ MZ

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRF6775MTRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	2156-IRF6775MTRPBF-ND
ผู้ผลิต	International Rectifier
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRF6775MTRPBF
คำอธิบาย	IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) ติดบนพื้นผิว DIRECTFET™ MZ
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	International Rectifier
ชุด	HEXFET®
บรรจุภัณฑ์	จำนวนมาก
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	150 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	4.9A (Ta), 28A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	56mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5V @ 100µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1411 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DIRECTFET™ MZ
บรรจุภัณฑ์ / เคส	DirectFET™ ไอโซเมตริก MZ