IXFH11N80 IXYS | FET เดี่ยว, MOSFET

ผลิตภัณฑ์
กลับ
ผู้ผลิต
กลับ
แหล่งข้อมูล
กลับ
กลับ
กลับ
- โปรแกรมและการบริการ
- ระบบอัตโนมัติและการควบคุม
- บริการออกแบบและบูรณาการ
- โซลูชั่นดิจิทัล
- โซลูชัน IoT
- การติดตามสินค้า
- บริการผลิตภัณฑ์
กลับ
- การซื้อ
- เครื่องมือ
- My Lists
- ใบเสนอราคา
- ผลิตภัณฑ์
- ผู้ผลิต
ขอใบเสนอราคา

IXFH11N80
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IXFH11N80-ND
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IXFH11N80
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 800 V 11A (Tc) 300W (Tc) ทรูโฮล TO-247AD (IXFH)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	IXYS
ชุด	HiPerFET™
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	800 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	11A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	950mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4.5V @ 4mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	155 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	4200 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	300W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-247AD (IXFH)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IXFH11

IXFH11N80

ข้อมูล

ช่วยเหลือ

ติดต่อเรา

ติดตามเรา