Name: IXFT120N25X3HV
Brand: IXYS
SKU: IXFT120N25X3HV-ND
Price: 610.71 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 250 V 120A (Tc) 520W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-268AA

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IXFT120N25X3HV
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IXFT120N25X3HV-ND
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IXFT120N25X3HV
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	36 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 250 V 120A (Tc) 520W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-268AA
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.5V @ 4mA
Mfr IXYS	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 122 nC @ 10 V
ชุด HiPerFET™, Ultra X3	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ ท่อ	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 7870 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 520W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 250 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-268AA
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 120A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-268-3, D3PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-268AA
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IXFT120
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 12mOhm @ 60A, 10V