Name: IXFT150N30X3HV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXFT150N30X3HV-ND
Price: 873.23 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 300 V 150A (Tc) 890W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-268HV (IXFT)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IXFT150N30X3HV
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	238-IXFT150N30X3HV-ND
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IXFT150N30X3HV
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 300V 150A TO268HV
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	36 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 300 V 150A (Tc) 890W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-268HV (IXFT)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.5V @ 4mA
Mfr IXYS	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 254 nC @ 10 V
ชุด HiPerFET™, Ultra X3	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ ท่อ	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 13100 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 890W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 300 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-268HV (IXFT)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 150A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-268-3, D3PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-268AA
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IXFT150
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 75A, 10V