


IXFY8N65X2 | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | IXFY8N65X2-ND |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | IXFY8N65X2 |
คำอธิบาย | MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | N-ช่องสัญญาณ 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
หมวดหมู่ | Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 5V @ 250µA |
Mfr | เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 11 nC @ 10 V |
ชุด | Vgs (สูงสุด) ±30V |
บรรจุภัณฑ์ ท่อ | ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 790 pF @ 25 V |
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน | กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 150W (Tc) |
ประเภท FET | อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ) |
เทคโนโลยี | ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว |
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 650 V | บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-252AA |
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | บรรจุภัณฑ์ / เคส |
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V | หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน |
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 450mOhm @ 4A, 10V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | จำนวนที่มีอยู่ | หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | ราคาต่อหน่วย | ประเภทสินค้าทดแทน |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | 18,928 | IPD60R600P7SAUMA1CT-ND | ฿1.59000 | Similar |
| IPD80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | 4,126 | IPD80R600P7ATMA1CT-ND | ฿3.15000 | Similar |
| SPD08N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | 11,376 | SPD08N50C3ATMA1CT-ND | ฿3.66000 | Similar |
| STD11NM65N | STMicroelectronics | 4,098 | 497-13352-1-ND | ฿6.04000 | Similar |
| STD8N65M5 | STMicroelectronics | 504 | 497-10878-1-ND | ฿4.79000 | Similar |
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ต่อราคา |
|---|---|---|
| 1 | ฿138.70000 | ฿138.70 |
| 70 | ฿67.73129 | ฿4,741.19 |
| 140 | ฿61.71107 | ฿8,639.55 |
| 560 | ฿52.38788 | ฿29,337.21 |
| 1,050 | ฿49.11512 | ฿51,570.88 |
| 2,030 | ฿48.13539 | ฿97,714.84 |

