Name: IXSJ80N120R1
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ80N120R1-ND
Price: 1133.49 THB
Availability: InStock

ผลิตภัณฑ์ใหม่

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IXSJ80N120R1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	238-IXSJ80N120R1-ND
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IXSJ80N120R1
คำอธิบาย	1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	35 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 85A (Tc) 266W ทรูโฮล ISO247-3L
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.8V @ 22.2mA
Mfr IXYS	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 154 nC @ 18 V
บรรจุภัณฑ์ ท่อ	Vgs (สูงสุด) +21V, -4V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4522 pF @ 800 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 266W
เทคโนโลยี SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)	อุณหภูมิในการทำงาน -40°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 1200 V	ประเภทการติดตั้ง ทรูโฮล
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 85A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ ISO247-3L
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 18V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-247-3
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 22.5mOhm @ 40A, 18V